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CSD17381F4T Canal N Montaje en superficie 30V 3.1 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR
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1 0,36000 0,36 €
10 0,27300 2,73 €
25 0,24600 6,15 €
100 0,12970 12,97 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 296-38913-2-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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  • Precio unitario: 0,07162 €
  • Cinta cortada (CT)  : 296-38913-1-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18.548 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,32000 €
  • Digi-Reel®  : 296-38913-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18.548 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-37780-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
  • Cantidad disponible: 5.500 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12836 €
  • Digi-Reel®  : 296-37780-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.549 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD17381F4T

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-37780-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD17381F4T
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Descripción MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.1 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD17381F4
Página del producto del fabricante CSD17381F4T Specifications
Ensamble/origen de PCN Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
Diseño/especificación de PCN DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
DSBGA/Usip 14/Sep/2016
Producto destacado Power Management
Embalaje de PCN Carrier Tape 28/Aug/2018
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie FemtoFET™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 109mOhm a 500mA, 8V
Vgs(th) (máx) a Id 1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,35nC @ 4,5V
Vgs (máx.) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 195pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
Número de pieza base CSD17381
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-37780-1