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CSD13385F5T Canal N Montaje en superficie 12V 4.3 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR
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  • Digi-Reel®  : 296-47751-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5.083 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : 296-45087-2-ND
  • Cantidad mínima: 250
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  • Precio unitario: 0,23552 €
  • Digi-Reel®  : 296-45087-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11.831 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

CSD13385F5T

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 296-45087-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante CSD13385F5T
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Descripción 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 12V 4.3 A (Ta) 500mW (Ta) 3-PICOSTAR

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Documentos y medios
Hojas de datos CSD13385F5 Datasheet
FemtoFET Surface Mount Guide
Producto destacado Power Management
Página del producto del fabricante CSD13385F5T Specifications
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Categorías
Fabricante Texas Instruments
Serie FemtoFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19mOhm a 900mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5nC @ 4,5V
Vgs (máx.) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 674pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa) 3-XFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 296-45087-1