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TSM950N10CW RPG Canal N Montaje en superficie 100V 6.5 A (Tc) 9W (Tc) SOT-223
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17.554 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,57000 0,57 €
10 0,49700 4,97 €
25 0,46680 11,67 €
100 0,33890 33,89 €
250 0,32684 81,71 €
500 0,28318 141,59 €
1.000 0,24100 241,00 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : TSM950N10CWRPGTR-ND
  • Cantidad mínima: 2.500
  • Cantidad disponible: 15.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,22594 €
  • Digi-Reel®  : TSM950N10CWRPGDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 17.554 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

TSM950N10CW RPG

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TSM950N10CWRPGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TSM950N10CW RPG
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Descripción MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 6.5 A (Tc) 9W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM950N10CW
Información de RoHS Taiwan Semi RoHS3
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 95mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1480pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres TSM950N10CW RPGCT
TSM950N10CW RPGCT-ND
TSM950N10CWRPGCT