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TSM950N10CW RPG Canal N Montaje en superficie 100V 6.5 A (Tc) 9W (Tc) SOT-223
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1 0,42000 0,42 €
10 0,35700 3,57 €
100 0,26630 26,63 €
500 0,20924 104,62 €
1.000 0,16168 161,68 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TSM950N10CWRPGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TSM950N10CW RPG

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Descripción MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 30 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 6.5 A (Tc) 9W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM950N10CW
Información de RoHS Taiwan Semi RoHS3
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9,3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1480pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 9W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TSM950N10CW RPGCT
TSM950N10CW RPGCT-ND
TSM950N10CWRPGCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TSM950N10CWRPGTR-ND
  • Cantidad mínima: 2.500
  • Cantidad disponible: 10.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,14312 €
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 10.207 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

10:22:20 8/18/2019