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10 0,46400 4,64 €
25 0,43320 10,83 €
100 0,32180 32,18 €
250 0,30568 76,42 €
500 0,25122 125,61 €
1.000 0,20420 204,20 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : TSM4800N15CX6RFGTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,19182 €
  • Digi-Reel®  : TSM4800N15CX6RFGDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9.959 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

TSM4800N15CX6 RFG

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TSM4800N15CX6RFGCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TSM4800N15CX6 RFG
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Descripción MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 1.4 A (Tc) 2.1W (Tc) SOT-26

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM4800N15CX6
Información de RoHS Taiwan Semi RoHS3
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 480mOhm a 1.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 332pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-26
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres TSM4800N15CX6 RFGCT
TSM4800N15CX6 RFGCT-ND
TSM4800N15CX6RFGCT