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TSM2308CX RFG Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 1.25W (Ta) SOT-23
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10 0,33000 3,30 €
25 0,30240 7,56 €
100 0,18990 18,99 €
500 0,17578 87,89 €
1.000 0,11954 119,54 €

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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6.858 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

TSM2308CX RFG

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TSM2308CX RFG
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Descripción MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 1.25W (Ta) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos TSM2308
Información de RoHS Taiwan Semi RoHS3
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 156mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,3nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 511pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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TSM2308CX RFGCT-ND
TSM2308CXRFGCT