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STP200NF04 Canal N Orificio pasante 40V 120 A (Tc) 310W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3,00000 3,00 €
10 2,69000 26,90 €
100 2,20370 220,37 €
500 1,87596 937,98 €
1.000 1,58213 1.582,13 €

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STP200NF04

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-3524-5-ND
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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 120 A (Tc) 310W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
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Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie STripFET™ II
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.7mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 310W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Número de pieza base STP200
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 50
Otros nombres 497-3524-5