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STFI20N65M5 Canal N Orificio pasante 650V 18 A (Tc) 130W (Tc) I2PAKFP (TO-281)
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10 3,09500 30,95 €
100 2,53600 253,60 €
500 2,15884 1.079,42 €
1.000 1,82071 1.820,71 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13533-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STFI20N65M5

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Descripción MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 18 A (Tc) 130W (Tc) I2PAKFP (TO-281)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1345pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
Número de pieza base STFI20N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13533

01:29:44 9/17/2019