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STF57N65M5 Canal N Orificio pasante 650V 42 A (Tc) 40W (Tc) TO-220FP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 10,50000 10,50 €
10 9,65400 96,54 €
25 9,25360 231,34 €
100 8,15330 815,33 €
500 7,25292 3.626,46 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13103-5-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STF57N65M5

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Descripción MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 42 A (Tc) 40W (Tc) TO-220FP

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 63mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4200pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Número de pieza base STF57N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • 497-13113-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13103-5

00:52:59 8/19/2019