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SCT20N120 Canal N Orificio pasante 1200V 20 A (Tc) 175W (Tc) HiP247™
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1 10,30000 10,30 €
10 9,46500 94,65 €
25 9,07280 226,82 €
100 7,84680 784,68 €
250 7,60164 1.900,41 €
500 7,35642 3.678,21 €

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SCT20N120

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-15170-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SCT20N120
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Descripción MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1200V 20 A (Tc) 175W (Tc) HiP247™

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Documentos y medios
Hojas de datos SCT20N120
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Módulos de capacitación sobre el producto Silicon Carbide MOSFET
STMicroelectronics ST MOSFETs
Producto destacado SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs
Modelos de simulación SCT20N120 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290mOhm a 10A, 20V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 20V
Vgs (máx.) +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 175W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Número de pieza base SCT20
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 30
Otros nombres 497-15170