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TT8M1TR MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 2.5A 1W Montaje en superficie 8-TSST
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,43000 0,43 €
10 0,34200 3,42 €
25 0,31320 7,83 €
100 0,19650 19,65 €
250 0,19432 48,58 €
500 0,18192 90,96 €
1.000 0,12370 123,70 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : TT8M1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,12139 €
  • Digi-Reel®  : TT8M1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key TT8M1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TT8M1TR
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
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Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 2.5A 1W Montaje en superficie 8-TSST

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 72mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.6nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 260pF a 10V
Potencia - Máx. 1W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSST
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres TT8M1CT
TT8M1TRCT
TT8M1TRCT-ND