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1 22,84000 €22,84
10 21,06500 €210,65
25 20,11840 €502,96
100 17,98800 €1.798,80
500 16,33126 €8.165,63

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SCT3030ALGC11

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SCT3030ALGC11-ND
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Fabricante

Rohm Semiconductor

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Número de pieza del fabricante SCT3030ALGC11
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Descripción SICFET N-CH 650V 70A TO247N
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 70 A (Tc) 262W (Tc) TO-247N

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 70 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 39mOhm a 27A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 13.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 104nC @ 18V
Vgs (máx.) +22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1526pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 262W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Número de pieza base SCT3030
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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