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RRR015P03TL Canal P Montaje en superficie 30V 1.5 A (Ta) 540mW (Ta) TSMT3
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10.315 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,36000 0,36 €
10 0,30600 3,06 €
25 0,28520 7,13 €
100 0,21190 21,19 €
500 0,16548 82,74 €
1.000 0,13450 134,50 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : RRR015P03TLTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 9.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,12635 €
  • Digi-Reel®  : RRR015P03TLDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 10.315 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

RRR015P03TL

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key RRR015P03TLCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante RRR015P03TL
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Descripción MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 1.5 A (Ta) 540mW (Ta) TSMT3

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Documentos y medios
Hojas de datos RRR015P03
Diseño/especificación de PCN TSMT Package Updates 24/Dec/2014
Hoja de datos de HTML RRR015P03
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6,5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 230pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TSMT3
Paquete / Caja (carcasa) SC-96
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres RRR015P03TLCT