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NTP082N65S3F Canal N Orificio pasante 650V 40 A (Tc) 313W (Tc) TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,33000 4,33 €
10 3,89100 38,91 €
25 3,67880 91,97 €
100 2,94300 294,30 €
250 2,77948 694,87 €
500 2,61598 1.307,99 €
1.000 2,28898 2.288,98 €

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NTP082N65S3F

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTP082N65S3FOS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTP082N65S3F
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Descripción MOSFET N-CH 650V 82 MOHM TO220 P
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 40 A (Tc) 313W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos NTP082N65S3F
Información de RoHS Material Declaration NTP082N65S3F
Producto destacado Solutions for Energy Infrastructure
Diseño/especificación de PCN SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019
Ensamble/origen de PCN FCPYYY/NTPYYY 01/Feb/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie FRFET®, SuperFET® II
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 82mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3410pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 313W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar 800
Otros nombres NTP082N65S3F-ND
NTP082N65S3FOS