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NTJD4105CT1G Arreglo de MOSFET Canal N y P 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363
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NTJD4105CT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTJD4105CT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTJD4105CT1G
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Montaje en superficie SC-88/SC70-6/SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos NTJD4105C
Información de RoHS Material Declaration NTJD4105CT1G
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V, 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 630mA, 775mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 375mOhm a 630mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 46pF a 20V
Potencia máxima 270mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Número de pieza base NTJD4105C
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTJD4105CT1GOSCT