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NTHD4508NT1G MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 20V 3A 1.13W Montaje en superficie ChipFET™
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,49000 0,49 €
10 0,42200 4,22 €
25 0,39360 9,84 €
100 0,29230 29,23 €
250 0,27772 69,43 €
500 0,22824 114,12 €
1.000 0,18552 185,52 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTHD4508NT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 3.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,17427 €
  • Digi-Reel®  : NTHD4508NT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4.123 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTHD4508NT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTHD4508NT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTHD4508NT1G
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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 20V 3A 1.13W Montaje en superficie ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos NTHD4508N
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Información de RoHS Material Declaration NTHD4508NT1G
Hoja de datos de HTML NTHD4508N
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 75mOhm a 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180pF a 10V
Potencia - Máx. 1.13W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Número de pieza base NTHD45
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con

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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTHD4508NT1GOSCT