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NTHD3101FT1G Canal P Montaje en superficie 20V 3.2 A (Tj) 1.1W (Ta) ChipFET™
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,36000 0,36 €
10 0,30300 3,03 €
25 0,28320 7,08 €
100 0,21040 21,04 €
500 0,16426 82,13 €
1.000 0,13352 133,52 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTHD3101FT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,13108 €
  • Digi-Reel®  : NTHD3101FT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 613 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTHD3101FT1G

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Número de pieza de Digi-Key NTHD3101FT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTHD3101FT1G
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Descripción MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
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Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3.2 A (Tj) 1.1W (Ta) ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos NTHD3101F
Información de RoHS Material Declaration NTHD3101FT1G
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.2 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7,4nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 680pF @ 10V
Característica de FET Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.) 1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Número de pieza base NTHD31
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTHD3101FT1GOSCT