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NTHC5513T1G MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 2.9 A, 2.2 A 1.1W Montaje en superficie ChipFET™
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2.751 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,55000 0,55 €
10 0,47000 4,70 €
25 0,43880 10,97 €
100 0,32600 32,60 €
250 0,30972 77,43 €
500 0,25454 127,27 €
1.000 0,20690 206,90 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTHC5513T1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,19436 €
  • Digi-Reel®  : NTHC5513T1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2.751 - Inmediata
    2.981 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTHC5513T1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTHC5513T1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTHC5513T1G
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 1206A
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Plazo estándar del fabricante 2 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 2.9 A, 2.2 A 1.1W Montaje en superficie ChipFET™

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Documentos y medios
Hojas de datos NTHC5513
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Información de RoHS Material Declaration NTHC5513T1G
Hoja de datos de HTML NTHC5513
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.9 A, 2.2 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180pF a 10V
Potencia - Máx. 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Número de pieza base NTHC55
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTHC5513T1GOSCT