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MCH6660-TL-W MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 2A, 1.5A 800mW Montaje en superficie 6-MCPH
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10 0,30600 3,06 €
25 0,28040 7,01 €
100 0,17610 17,61 €
250 0,17416 43,54 €
500 0,16306 81,53 €
1.000 0,11088 110,88 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : MCH6660-TL-WOSTR-ND
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  • Digi-Reel®  : MCH6660-TL-WOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13.647 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

MCH6660-TL-W

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante MCH6660-TL-W
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
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Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 2A, 1.5A 800mW Montaje en superficie 6-MCPH

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Documentos y medios
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Información de RoHS Material Declaration MCH6660-TL-W
Hoja de datos de HTML MCH6660
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.8V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2A, 1.5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 136mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.8nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 128pF a 10V
Potencia - Máx. 800mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MCPH
Número de pieza base MCH66
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres MCH6660-TL-WOSCT