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IRL640A Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) TO-220-3
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1 1,54000 1,54 €
10 1,36800 13,68 €
100 1,08120 108,12 €
500 0,83848 419,24 €
1.000 0,66197 661,97 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL640A-ND
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Cantidad disponible 28.318
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRL640A

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Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 18 A (Tc) 110W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180mOhm a 9A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1705pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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02:57:27 4/25/2019