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FQP32N20C Canal N Orificio pasante 200V 28 A (Tc) 156W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,74000 1,74 €
10 1,56000 15,60 €
25 1,47200 36,80 €
100 1,25420 125,42 €
1.000 0,85380 853,80 €
3.000 0,79492 2.384,75 €
5.000 0,76547 3.827,37 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP32N20CFS-ND
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Cantidad disponible 22.134
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Stock en fábrica ?: 17.000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP32N20C

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Descripción MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 28 A (Tc) 156W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 82mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1.000
Otros nombres FQP32N20C-ND
FQP32N20CFS

01:44:01 7/16/2019