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FQP27P06 Canal P Orificio pasante 60V 27 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1,65000 1,65 €
10 1,46100 14,61 €
100 1,15470 115,47 €
500 0,89548 447,74 €
1.000 0,70695 706,95 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP27P06-ND
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Cantidad disponible 8.427
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP27P06

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Descripción MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 27 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP27P06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 13.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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