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FQA65N20 Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 310W (Tc) TO-3PN
Precio y compra
390 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,48000 4,48 €
10 4,02600 40,26 €
25 3,80640 95,16 €
100 3,04510 304,51 €
500 2,70680 1.353,40 €
1.000 2,31769 2.317,69 €
2.500 2,28386 5.709,65 €

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FQA65N20

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FQA65N20OS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FQA65N20
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Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 310W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FQA65N20
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Información de RoHS Material Declaration FQA65N20
Ensamble/origen de PCN Mult Dev EMC Chg 15/Apr/2020
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 32mOhm a 32.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Número de pieza base FQA6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 450
Otros nombres FQA65N20-ND
FQA65N20FS
FQA65N20FS-ND
FQA65N20OS