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FQA65N20 Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 310W (Tc) TO-3PN
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,74000 4,74 €
10 4,25300 42,53 €
100 3,48460 348,46 €
500 2,96638 1.483,19 €
1.000 2,50178 2.501,78 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA65N20OS-ND
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Cantidad disponible 382
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQA65N20

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Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 310W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FQA65N20
Información de RoHS Material Declaration FQA65N20
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 32.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 310W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450
Otros nombres FQA65N20-ND
FQA65N20FS
FQA65N20FS-ND
FQA65N20OS

03:17:21 9/16/2019