EUR | USD
Favorito

FDN361BN Canal N Montaje en superficie 30V 1.4 A (Ta) 500mW (Ta) SuperSOT-3
Precio y compra
7.990 En Stock
Disponible para envío inmediato Stock en fábrica : 105.000
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,46000 0,46 €
10 0,37800 3,78 €
100 0,25730 25,73 €
500 0,19296 96,48 €
1.000 0,14472 144,72 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FDN361BNTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
    105.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: 0,12880 €
  • Digi-Reel®  : FDN361BNDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7.990 - Inmediata
    105.000 - Stock en fábrica 
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

FDN361BN

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FDN361BNCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante FDN361BN
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 1.4 A (Ta) 500mW (Ta) SuperSOT-3

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos FDN361BN
Información de RoHS Material Declaration FDN361BN
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Add 8/Jul/2019
Embalaje de PCN Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA/CAD FDN361BN by SnapEDA
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110mOhm a 1.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,8nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 193pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

ADF4001BCPZ

IC CLOCK GEN PLL 200MHZ 20LFCSP

Analog Devices Inc.

4,24000 € Detalles

FDN352AP

MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

ON Semiconductor

0,41000 € Detalles

2N7002WT1G

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

ON Semiconductor

0,18000 € Detalles

BC846AW-7-F

TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3

Diodes Incorporated

0,17000 € Detalles

ADG752BRTZ-REEL7

IC VIDEO SWITCH SPDT SOT23-6

Analog Devices Inc.

3,78000 € Detalles

BSS127SSN-7

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59

Diodes Incorporated

0,41000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FDN361BNCT