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FDI045N10A-F102 Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 263W (Tc) I2PAK (TO-262)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3,38000 3,38 €
10 3,03100 30,31 €
25 2,86600 71,65 €
100 2,29260 229,26 €
500 2,03784 1.018,92 €
1.000 1,74490 1.744,90 €
2.500 1,71943 4.298,57 €

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FDI045N10A-F102

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FDI045N10A-F102-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDI045N10A-F102
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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 263W (Tc) I2PAK (TO-262)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP045N10A, FDI045N10A
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Número de pieza de PCN Mult Device Part Number Chg 30/May/2017
Información de RoHS Material Declaration FDI045N10A-F102
Ensamble/origen de PCN Mult Dev 16/Mar/2020
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5270pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 263W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Número de pieza base FDI045
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1.000
Otros nombres FDI045N10A_F102
FDI045N10A_F102-ND