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FDI045N10A-F102 Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 263W (Tc) I2PAK (TO-262)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3,57000 3,57 €
10 3,20200 32,02 €
100 2,62340 262,34 €
500 2,23328 1.116,64 €
1.000 1,88349 1.883,49 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDI045N10A-F102-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDI045N10A-F102

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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
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Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 263W (Tc) I2PAK (TO-262)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP045N10A, FDI045N10A
Información de RoHS Material Declaration FDI045N10A-F102
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Mult Dev Wafer Fab Add 22/Mar/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Número de pieza de PCN Mult Device Part Number Chg 30/May/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5270pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 263W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1.000
Otros nombres FDI045N10A_F102
FDI045N10A_F102-ND

00:44:23 9/15/2019