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FDG410NZ Canal N Montaje en superficie 20V 2.2 A (Ta) 420mW (Ta) SC-88 (SC-70-6)
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10 0,33300 3,33 €
100 0,24850 24,85 €
500 0,19528 97,64 €
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDG410NZCT-ND
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Cantidad disponible 8.742
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Stock en fábrica ?: 132.000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDG410NZ

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Descripción MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 2.2 A (Ta) 420mW (Ta) SC-88 (SC-70-6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDG410NZ
Información de RoHS Material Declaration FDG410NZ
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70mOhm a 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7,2nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 535pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 420mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDG410NZCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDG410NZTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 6.000 - Inmediata
    132.000 - Stock en fábrica ?
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08:21:33 8/24/2019