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FCPF850N80Z Canal N Orificio pasante 800V 6 A (Tc) 28.4W (Tc) TO-220F
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FCPF850N80Z

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FCPF850N80Z-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FCPF850N80Z
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Descripción MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
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Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 6 A (Tc) 28.4W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FCPF850N80Z
Información de RoHS Material Declaration FCPF850N80Z
Producto destacado Cloud Systems Computing
Diseño/especificación de PCN Multiple Updates 10/Sep/2015
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 28/Apr/2017
Mult Devices Mold Compound 09/Apr/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® II
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 600µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1315pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 28.4W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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