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FCPF20N60 Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 39W (Tc) TO-220F
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3,20000 3,20 €
10 2,87200 28,72 €
100 2,35280 235,28 €
500 2,00296 1.001,48 €
1.000 1,68924 1.689,24 €

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FCPF20N60

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FCPF20N60-ND
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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 39W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FCP(F)20N60
Información de RoHS Material Declaration FCPF20N60
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3080pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 39W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar 1.000
Otros nombres FCPF20N60_NL
FCPF20N60_NL-ND