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FCPF20N60 Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 39W (Tc) TO-220F
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429 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2,99000 2,99 €
10 2,68300 26,83 €
25 2,53600 63,40 €
100 2,02900 202,90 €
500 1,80356 901,78 €
1.000 1,54430 1.544,30 €
2.500 1,52176 3.804,39 €

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FCPF20N60

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FCPF20N60-ND
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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 39W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FCP(F)20N60
Información de RoHS Material Declaration FCPF20N60
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Hoja de datos de HTML FCP(F)20N60
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET™
Embalaje Tubo 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3080pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Número de pieza base FCPF20
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 1.000
Otros nombres FCPF20N60_NL
FCPF20N60_NL-ND