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FCH165N60E Canal N Orificio pasante 600V 23 A (Tc) 227W (Tc) TO-247-3
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10 2,73000 27,30 €
100 2,23700 223,70 €
500 1,90424 952,12 €
1.000 1,60599 1.605,99 €

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FCH165N60E

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FCH165N60EOS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FCH165N60E
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Descripción MOSFET N-CH 600V 23A TO247
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 23 A (Tc) 227W (Tc) TO-247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FCH165N60E
Información de RoHS Material Declaration FCH165N60E
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Mold Compound 09/Apr/2019
Mult Dev Material Chg 12/Sep/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET® II
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 165mOhm a 11.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2434pF @ 380V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 227W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 450
Otros nombres FCH165N60E-ND
FCH165N60EOS