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FCA20N60F Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 208W (Tc) TO-3PN
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3,59000 3,59 €
10 3,22400 32,24 €
100 2,64160 264,16 €
500 2,24876 1.124,38 €
1.000 1,89655 1.896,55 €

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FCA20N60F

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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Tc) 208W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FCA20N60F
Información de RoHS Material Declaration FCA20N60F
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie SuperFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3080pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Número de pieza base FCA20N60
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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