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2N7000TA Canal N Orificio pasante 60V 200 mA (Tc) 400 mW (Ta) TO-92-3
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10 0,31700 3,17 €
100 0,18640 18,64 €
500 0,10552 52,76 €
1.000 0,08090 80,90 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7000TACT-ND
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Cantidad disponible 101.192
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

2N7000TA

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Descripción MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 200 mA (Tc) 400 mW (Ta) TO-92-3

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
Diseño/especificación de PCN 2N7000 06/Sep/2016
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Hoja de datos de HTML 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Conductores formados)
Número de pieza base 2N7000
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2N7000TACT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y caja ? : 2N7000TATB-ND
  • Cantidad mínima: 2.000
  • Cantidad disponible: 100.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,06829 €

09:47:28 11/20/2018