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PHT6NQ10T,135 Canal N Montaje en superficie 100V 3 A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) SOT-223
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,58000 0,58 €
10 0,50400 5,04 €
25 0,47360 11,84 €
100 0,34390 34,39 €
500 0,28734 143,67 €
1.000 0,24454 244,54 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : 1727-5352-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 1727-5352-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11.162 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

PHT6NQ10T,135

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-5352-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PHT6NQ10T,135
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Descripción MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 3 A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos PHT6NQ10T
Diseño/especificación de PCN Resin Hardener 02/Jul/2013
Embalaje de PCN Mult Dev Carrier Tape Chg 16/Feb/2020
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 90mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 633pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 1727-5352-1
568-6791-1
568-6791-1-ND