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PHT6NQ10T,135 Canal N Montaje en superficie 100V 3 A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) SOT-223
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PHT6NQ10T,135

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 1727-5352-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante PHT6NQ10T,135
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Descripción MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 3 A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) SOT-223

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Categorías
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 633pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
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568-6791-1
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