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APT25M100J Canal N Montaje de chasis 1000V 25 A (Tc) 545W (Tc) ISOTOP®
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1 28,88000 28,88 €
10 26,63100 266,31 €
25 25,43360 635,84 €
100 22,44160 2.244,16 €
250 20,94544 5.236,36 €

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APT25M100J

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante APT25M100J
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Descripción MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 1000V 25 A (Tc) 545W (Tc) ISOTOP®

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Power Products Catalog
Atributos del producto
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Fabricante Microsemi Corporation
Serie POWER MOS 8™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 330mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 305nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9835pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 545W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor ISOTOP®
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1