EUR | USD
Favorito

IXKN75N60C Canal N Montaje de chasis 600V 75 A (Tc) 560W (Tc) SOT-227B
Precio y compra
106 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 34,85000 34,85 €
10 32,13600 321,36 €
25 30,69240 767,31 €
100 27,08120 2.708,12 €
250 25,27580 6.318,95 €
500 23,10930 11.554,65 €
1.000 22,74822 22.748,22 €
2.500 22,20660 55.516,49 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

IXKN75N60C

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IXKN75N60C-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IXKN75N60C
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 600V 75 A (Tc) 560W (Tc) SOT-227B

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos IXKN75N60C
Hoja de datos de HTML IXKN75N60C
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie CoolMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 36mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 500nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 560W (Tc)
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
También le puede interesar

MUR410RLG

DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD

ON Semiconductor

0,42000 € Detalles

DSEI120-06A

DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD

IXYS

5,91000 € Detalles

VS-90EPS12L-M3

NEW INPUT DIODES - TO-247-E3

Vishay Semiconductor Diodes Division

3,30000 € Detalles

IXFN110N60P3

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

IXYS

23,05000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 10
Otros nombres 498718
IXKN 75N60C