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SPP20N60C3XKSA1 Canal N Orificio pasante 600V 20.7 A (Tc) 208W (Tc) PG-TO220-3-1
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10 3,24400 32,44 €
25 3,06720 76,68 €
100 2,45400 245,40 €
500 2,18130 1.090,65 €
1.000 1,86775 1.867,75 €
2.500 1,84048 4.601,19 €
5.000 1,67688 8.384,40 €
9.000 1,63598 14.723,83 €

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SPP20N60C3XKSA1

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Número de pieza de Digi-Key SPP20N60C3XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SPP20N60C3XKSA1
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Descripción MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20.7 A (Tc) 208W (Tc) PG-TO220-3-1

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Embalaje Tubo 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 13.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 114nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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