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SPP17N80C3XKSA1 Canal N Orificio pasante 800V 17 A (Tc) 208W (Tc) PG-TO220-3-1
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10 3,45200 34,52 €
100 2,82860 282,86 €
500 2,40792 1.203,96 €
1.000 2,03078 2.030,78 €

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SPP17N80C3XKSA1

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Número de pieza de Digi-Key SPP17N80C3XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SPP17N80C3XKSA1
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Descripción MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 17 A (Tc) 208W (Tc) PG-TO220-3-1

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Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 177nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2320pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar 500
Otros nombres SP000013354
SP000683164
SPP17N80C3
SPP17N80C3IN
SPP17N80C3IN-ND
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