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IRLMS1902TRPBF Canal N Montaje en superficie 20V 3.2 A (Ta) 1.7W (Ta) Micro6™(TSOP-6)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,40000 0,40 €
10 0,34500 3,45 €
25 0,32200 8,05 €
100 0,23910 23,91 €
250 0,22712 56,78 €
500 0,18668 93,34 €
1.000 0,15173 151,73 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : IRLMS1902PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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  • Digi-Reel®  : IRLMS1902PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1.046 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLMS1902TRPBF

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLMS1902TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 3.2 A (Ta) 1.7W (Ta) Micro6™(TSOP-6)

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLMS1902PbF
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100mOhm a 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 700mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.7W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902PBFCT