EUR | USD
Favorito

IRLML0040TRPBF Canal N Montaje en superficie 40V 3.6 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23
Precio y compra
0
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,32000 0,32 €
10 0,25900 2,59 €
25 0,23760 5,94 €
100 0,14910 14,91 €
500 0,13806 69,03 €
1.000 0,09388 93,88 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML0040TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: 0,09501 €
  • Digi-Reel®  : IRLML0040TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML0040TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLML0040TRPBFCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IRLML0040TRPBF
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 3.6 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23

Copiar  
Referencia del cliente
Documentos y medios
Hojas de datos IRLML0040TRPbF
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Recursos de diseño IRLML0040TRPBF Saber Model
Producto destacado Data Processing Systems
Wireless Charging
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Label Chgs Aug/2020
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
Modelos EDA/CAD IRLML0040TRPBF by SnapEDA
Modelos de simulación IRLML0040TRPBF Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 56mOhm a 3.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3,9nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 266pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

BSC019N02KSGAUMA1

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Infineon Technologies

0,76019 € Detalles

IRLML5203TRPBF

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23

Infineon Technologies

0,34000 € Detalles

0527460471

CONN FFC BOTTOM 4POS 0.50MM R/A

Molex

0,65000 € Detalles

IRLML9301TRPBF

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

Infineon Technologies

0,30000 € Detalles

ZXMP6A17GTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Diodes Incorporated

0,49000 € Detalles

MCP120T-300I/TT

IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23-3

Microchip Technology

0,38000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IRLML0040TRPBFCT