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IRLB3813PBF Canal N Orificio pasante 30V 260 A (Tc) 230 W (Tc) TO-220AB
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1 1,65000 1,65 €
10 1,49200 14,92 €
100 1,19850 119,85 €
500 0,93216 466,08 €
1.000 0,77237 772,37 €

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLB3813PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLB3813PBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 30V 260 A (Tc) 230 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 260 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.95 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.35 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8420pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1.000
Otros nombres 64-0084PBF
64-0084PBF-ND
SP001558110

23:30:49 11/12/2018