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IRFP260NPBF Canal N Orificio pasante 200V 50 A (Tc) 300W (Tc) TO-247AC
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1 2,88000 2,88 €
10 2,59300 25,93 €
100 2,12450 212,45 €
500 1,80856 904,28 €
1.000 1,52528 1.525,28 €

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IRFP260NPBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 50 A (Tc) 300W (Tc) TO-247AC

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Granel 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 234nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4057pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 25
Otros nombres *IRFP260NPBF
64-6005PBF
64-6005PBF-ND
SP001552016