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IRFP150NPBF Canal N Orificio pasante 100V 42 A (Tc) 160W (Tc) TO-247AC
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10 1,36600 13,66 €
100 1,09740 109,74 €
500 0,90164 450,82 €
1.000 0,74707 747,07 €

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IRFP150NPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 42 A (Tc) 160W (Tc) TO-247AC

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Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900pF @ 25V
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 36mOhm a 23A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres *IRFP150NPBF
SP001564068