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IRFB4229PBF Canal N Orificio pasante 250V 46 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
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1 3,18000 3,18 €
10 2,85900 28,59 €
100 2,34180 234,18 €
500 1,99356 996,78 €
1.000 1,68131 1.681,31 €

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IRFB4229PBF

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Descripción MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 46 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 46 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 46mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4560pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330W (Tc)
Temperatura de operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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