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IRF7343TRPBF Arreglo de MOSFET Canal N y P 55V 4.7 A, 3.4 A 2W Montaje en superficie 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,89000 0,89 €
10 0,79400 7,94 €
100 0,61920 61,92 €
500 0,51152 255,76 €
1.000 0,40384 403,84 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : IRF7343PBFTR-ND
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  • Precio unitario: 0,36594 €
  • Digi-Reel®  : IRF7343PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRF7343TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRF7343PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRF7343TRPBF
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Descripción MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 55V 4.7 A, 3.4 A 2W Montaje en superficie 8-SO

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.7 A, 3.4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50mOhm a 4.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 740pF a 25V
Potencia máxima 2W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base IRF7343PBF
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRF7343TRPBF
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