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IPW60R160C6FKSA1 Canal N Orificio pasante 600V 23.8 A (Tc) 176W (Tc) PG-TO247-3
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IPW60R160C6FKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 23.8 A (Tc) 176W (Tc) PG-TO247-3

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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160mOhm a 11.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 750µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1660pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 176W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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IPW60R160C6-ND
SP000652798