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IPW60R125CFD7XKSA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPW60R125CFD7XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPW60R125CFD7XKSA1
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Descripción HIGH POWER_NEW
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 18 A (Tc) 92W (Tc) PG-TO247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos 600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET Brief
Modelos de simulación MOSFET CoolMOS™ CFD7 600V Spice Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 390µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1503pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 92W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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