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IPN60R3K4CEATMA1 Canal N Montaje en superficie 600V 2.6 A (Tc) 5W (Tc) PG-SOT223
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,34000 0,34 €
10 0,28800 2,88 €
25 0,26800 6,70 €
100 0,19910 19,91 €
250 0,18920 47,30 €
500 0,15550 77,75 €
1.000 0,12638 126,38 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : IPN60R3K4CEATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 3.000
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  • Precio unitario: 0,11872 €
  • Digi-Reel®  : IPN60R3K4CEATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16.785 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPN60R3K4CEATMA1

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Número de pieza del fabricante IPN60R3K4CEATMA1
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Descripción MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 2.6 A (Tc) 5W (Tc) PG-SOT223

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Documentos y medios
Hojas de datos IPN60R3K4CE
Producto destacado Infineon CoolMOS CE
Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.4Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 40µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4,6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 93pF @ 100V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (Máx.) 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223
Paquete / Caja (carcasa) SOT-223-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPN60R3K4CEATMA1CT