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IPD70N10S3L12ATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 70 A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3
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1 1,43000 1,43 €
10 1,28500 12,85 €
25 1,21240 30,31 €
100 0,94550 94,55 €
250 0,92128 230,32 €
500 0,80006 400,03 €
1.000 0,67884 678,84 €

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IPD70N10S3L12ATMA1

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Número de pieza del fabricante IPD70N10S3L12ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 70 A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD70N10S3L-12
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Modelos de simulación OptiMOS-T-100V-Spice Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 70 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 83µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 77nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5550pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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0,94000 € Detalles
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