EUR | USD
Favorito

IPB60R099C6ATMA1 Canal N Montaje en superficie 600V 37.9 A (Tc) 278W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Precio y compra
3.179 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,85000 4,85 €
10 4,35600 43,56 €
25 4,11800 102,95 €
100 3,29440 329,44 €
250 3,11140 777,85 €
500 2,92838 1.464,19 €

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB60R099C6ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1.000
  • Cantidad disponible: 3.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 2,13131 €
  • Digi-Reel®  : IPB60R099C6ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3.179 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB60R099C6ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB60R099C6ATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IPB60R099C6ATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Copiar  
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 37.9 A (Tc) 278W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R099C6
Producto destacado Data Processing Systems
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Cambio de estado de la pieza PCN Mult Dev Wafer/MPN Chgs 17/May/2018
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model
Embalaje de PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Hoja de datos de HTML IPx60R099C6
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 37.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 18.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1.21mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 119nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2660pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con Ver más

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8-60

Infineon Technologies

1,26000 € Detalles

2EDN7524RXUMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE TSSLP-8

Infineon Technologies

1,39000 € Detalles

2EDN7523FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8

Infineon Technologies

1,39000 € Detalles

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8-60

Infineon Technologies

Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® Detalles

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE DSO8-60

Infineon Technologies

0,50402 € Detalles

2EDN7524RXUMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE TSSLP-8

Infineon Technologies

Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® Detalles
También le puede interesar

IPB108N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Infineon Technologies

3,03000 € Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB60R099C6ATMA1CT
IPB60R099C6CT
IPB60R099C6CT-ND