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IPB072N15N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 150V 100 A (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4,46000 4,46 €
10 4,00000 40,00 €
25 3,78200 94,55 €
100 3,02550 302,55 €
500 2,68932 1.344,66 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB072N15N3GATMA1TR-ND
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  • Cantidad disponible: 17.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 2,18760 €
  • Digi-Reel®  : IPB072N15N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19.039 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB072N15N3GATMA1

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB072N15N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 100 A (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx072,75N15N3 G
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Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5470pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB072N15N3 GCT
IPB072N15N3 GCT-ND
IPB072N15N3GATMA1CT