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IPB072N15N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 150V 100 A (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2
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Escala de precios Precio unitario Precio total
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10 4,52000 45,20 €
100 3,70390 370,39 €
500 3,15306 1.576,53 €

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  • Cinta y rollo (TR)  : IPB072N15N3GATMA1TR-ND
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  • Digi-Reel®  : IPB072N15N3GATMA1DKR-ND
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IPB072N15N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB072N15N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB072N15N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 100 A (Tc) 300W (Tc) PG-TO263-3-2

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx072,75N15N3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5470pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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