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BSS84PH6433XTMA1 Canal P Montaje en superficie 60V 170mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,25000 0,25 €
10 0,20000 2,00 €
25 0,16760 4,19 €
100 0,08210 8,21 €
500 0,06842 34,21 €
1.000 0,04755 47,55 €
2.500 0,04419 110,48 €
5.000 0,03822 191,12 €

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : BSS84PH6433XTMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 10.000
  • Cantidad disponible: 40.000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0,03170 €
  • Digi-Reel®  : BSS84PH6433XTMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 40.845 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

BSS84PH6433XTMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key BSS84PH6433XTMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante BSS84PH6433XTMA1
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Descripción MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 170mA (Ta) 360mW (Ta) SOT-23-3

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Documentos y medios
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Producto destacado Data Processing Systems
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Ensamble/origen de PCN Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 170mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8Ohm a 170mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 20µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1,5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 19pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres BSS84PH6433XTMA1CT