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BSS83PH6327XTSA1 Canal P Montaje en superficie 60V 330 mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3
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10 0,34700 3,47 €
100 0,22740 22,74 €
500 0,13440 67,20 €
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSS83PH6327XTSA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

BSS83PH6327XTSA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 330 mA (Ta) 360 mW (Ta) SOT-23-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 330 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 330 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 80 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3,57nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 78pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : BSS83PH6327XTSA1TR-ND
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16:35:05 1/19/2019